等离子体刻蚀是什么？

推荐回答

等离体刻蚀（称干刻蚀）集电路制造关键工艺其目完整掩膜图形复制硅片表面其范围涵盖前端CMOS栅极（Gate）控制及端金属铝刻蚀及ViaTrench刻蚀今没集电路芯片能缺乏等离体刻蚀技术情况完刻蚀设备投资整芯片厂设备投资约占10%~12%比重工艺水平直接影响终产品质量及产技术先进性早报道等离体刻蚀技术文献于1973本发表并快引起工业界重视至今集电路制造广泛应用平行电极刻蚀反应室（Reactive Ion Etch-RIE）1974提设想图1显示种反应室剖面示意图重要实验参数由列几项组：真空腔体真空系统气体系统用于提供精确气体种类流量射频电源及其调节匹配电路系统等离刻蚀原理概括几步骤：● 低压反应气体射频功率激发产电离并形等离体等离体由带电电离组反应腔体 气体电撞击除转变离外能吸收能量并形量性基团（Radicals）● 性反应基团刻蚀物质表面形化反应并形挥发性反应物● 反应物脱离刻蚀物质表面并真空系统抽腔体平行电极等离体反应腔体刻蚀物置于面积较电极种情况直流偏压等离体该电极间形并使带电反应气体离加速撞击刻蚀物质表面种离轰击加快表面化反应及反应物脱附导致高刻蚀速率由于离轰击存才使各向异性刻蚀实现资料自：www.uniplasma.