氧等离子体实验。采用RIE方式刻蚀，气体只通氧气。 刻蚀速率与哪些参数有关？腔体气压与速率的关系是？

发布时间：2019-08-26 13:22:27

氧等离子体实验。采用RIE方式刻蚀，气体只通氧气。 刻蚀速率与哪些参数有关？腔体气压与速率的关系是？

推荐回答

Etch Rate 与 RF Power,O2 Flow, Pressure都有关，气压越高，一般是Etch Rate越高，但是刻蚀的均匀性会变差。但不知你是用O2刻蚀什么材料，可能也有所差别，因为O Plasma属于电负性气体
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