等离子体刻蚀的种类?紧急求助!!

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等离子蚀刻的分类有很多种，纯物理性蚀刻、纯化学反应性蚀刻等等。楼主的问题是不是蚀刻的种类。蚀刻可分为湿法蚀刻和干法蚀刻。早期半导体制程中所采用的蚀刻方式为湿式蚀刻，即利用特定的化学溶液将待蚀刻薄膜未被光阻覆盖的部分分解，并转成可溶于此溶液的化合物后加以排除，而达到蚀刻的目的。湿式蚀刻的进行主要是藉由溶液与待蚀刻材质间的化学反应，因此可藉由调配与选取适当的化学溶液，得到所需的蚀刻速率(Etching Rate)，以及待蚀刻材料与光阻及下层材质良好的蚀刻选择比(Selectivity)。 然而，随着积体电路中的元件尺寸越做越小，由于化学反应没有方向性，因而湿式蚀刻是等向性(Isotropic)的，此时，当蚀刻溶液做纵向蚀刻时，侧向的蚀刻将同时发生，进而造成底切(Undercut)现象，导致图案线宽失真。因此湿式蚀刻在次微米元件的制程中已被干式蚀刻所取代。 干式蚀刻通常指利用辉光放电(Glow Discharge)方式，产生包含离子、电子等带电粒子及具有高度化学活性的中性原子与分子及自由基的等离子来进行图案转印(Pattern Transfer)的蚀刻技术，即等离子蚀刻。