Ga和As在一定条件下可以合成GaAs.GaAs是一种新型化合物半导体材料.其性能比硅更优

发布时间:2021-02-21 01:29:33

Ga和As在一定条件下可以合成GaAs,GaAs是一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越.多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
,As的原子结构示意图


(2)Ga的原子核外电子排布式为:1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1

(3)GaCl3和AsF3的空间构型分别是:GaCl3平面三角形
平面三角形
,AsF3三角锥形
三角锥形

(4)第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC,其结构跟金刚石相似,则SiC属于原子
原子
晶体,并写出其主要的物理性质硬度大、熔点高
硬度大、熔点高
  (任2种).
(5)第一电离能:As>

Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化锌的晶胞中(结构如图所示),硫离子的配位数是4
4

(7)二氧化硒分子的空间构型为V形
V形
,写出它的1个等电子体的分子式O3(或SO2)
O3(或SO2)


网友回答

答案:分析:(1)根据Ga原子的原子结构示意图判断,电子层数与其周期数相等,最外层电子数与其主族序数相等,根据原子核外电子排布规则书写其原子结构示意图;
(2)根据原子核外电子排布式书写规则书写;
(3)根据价层电子对互斥理论来确定其空间构型;
(4)原子晶体中没有独立的原子,属于空间网状结构,其熔点、硬度较大;
(5)同一周期元素的第一电离能随着原子序数的增大而增大,但第VA族元素第一电离能大于第VIA元素;
(6)根据图片确定其配位数;
(7)根据价层电子对互斥理论确定其空间构型,等电子体中价电子数相等,据此确定其等电子体.
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