雪崩和齐纳击穿有什么用

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雪崩击穿和齐纳击穿是半导体PN结的两种不同的击穿机理.说明一下它们的相同点和不同点你就知道有什么用了.一般对于硅材料的PN结,6V电压以上以雪崩击穿为主,6V以下以齐纳击穿为主；电压很高几乎就是雪崩击穿,电压很低就是齐纳击穿.相同之处是：电压低于击穿点时通过PN结的电流很小,电压超过击穿点后,通过PN结的电流急剧增大,若外部电路不加限制,将使PN结很快烧毁.不同之处是雪崩击穿电压呈正温度系数,即温度升高时击穿电压有所上升,齐纳击穿相反,是负温度系数.于是当需要获得不随温度变化的基准电压时,可以将一只齐纳击穿二极管和一只雪崩击穿二极管串联起来（外部电路限制电流使它不至于烧毁）,只要选材适当,可以使这两个二极管的总电压在相当大的温度变化范围内维持稳定.
当作为整流二极管和开关二极管使用时,是利用它的单向导电特性,正向导通,反向截止.反向工作电压是低于它的击穿电压的,也就是不击穿,至于击穿机理的不同也就不重要了.
======以下答案可供参考======
供参考答案1:
雪崩击穿没用，除了能报废二极管和损坏电路以及电源职位。 齐纳就不一样了，可以稳压。