如上
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第一章 半导体中的电子状态
1. 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：
①禁带宽度；
②导带底电子有效质量；
③价带顶电子有效质量；
④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
[解] ①禁带宽度 Eg
根据可求出对应导带能量极小值 Emin的k值
由题中 EC式可得：由题中 EV式可看出，对应价带能量极大值 Emax 的 k 值为：kmax＝0；
并且 Emin＝EV(k)|k=kmax＝
2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加10^2V/m，10^7V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
3. 如果n型半导体导带峰值在[110]轴上及相应对称方向上,回旋共振实验结果应如何?
[解] 根据立方对称性,应有下列 12 个方向上的旋转椭球面:
则由解析几何定理得, B与3k 的夹角余弦cosθ为:
式中, 12 3 B bi b j bk =+ +.
对不同方向的旋转椭球面取不同的一组123 (, , ) kkk. (1) 若B沿[111]方向,则cosθ可以取两组数.
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