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以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点?
以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点?
发布时间:2021-04-10 01:16:55
题目类型:[问答题] 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点?
网友回答
参考答案: 由于NPN晶体管的基区在P阱中,所以基区的厚度太大,使得电流增益变小 集成电路的串联电阻很大,影响器件性能 NPN管和CMOS管共衬底,使得NPN管只能接固定电位,从而限制了NPN管的使用
试题难度:★★☆
参考解析:
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