智慧树知到《半导体技术导论》见面课答案

智慧树知到《半导体技术导论》见面课答案

见面课：半导体器件制程工艺
1、问题:MBE只能用于III-V族化合物的生长。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
2、问题:提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
3、问题:在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是： （ ）
选项：
A:腐蚀
B:离子注入
C:光刻
D:CVD
答案: 【光刻】
4、问题:光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（ ）的情况。
选项：
A:对光刻精度较高
B:光刻图案密度较高
C:光刻的材料易于腐蚀
D:光刻的材料难以腐蚀
答案: 【光刻的材料难以腐蚀】
见面课：半导体器件及材料表征技术
1、问题:通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
2、问题:TEM观测与SEM相同，对样品厚度没有要求。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
3、问题:AFM通常用来观测样品表面形貌。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
4、问题:XPS只能检测元素种类，无法标定元素含量。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
见面课：半导体器件基本结构
1、问题:异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
2、问题:光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
3、问题:MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
4、问题:所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
5、问题:平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
6、问题:一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的__达到了14nm量级
选项：
A:栅极长度
B:漏极宽度
C:栅极宽度
D:以上都不是
答案: 【栅极宽度】
7、问题:当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其_的pn结上的电压方向是反向偏置的
选项：
A:集电极到发射极
B:集电极到基极
C:基极到发射极
D:以上都不是
答案: 【集电极到基极】
8、问题:MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来控制 _ 极和 __极之间的导电沟道的通断
选项：
A:栅、源、漏B:漏、源、栅
C:源、漏、栅
D:以上都不是
答案: 【栅、源、漏】
9、问题:金属和n型半导体接触，如果fmfs，会形成 肖特基 接触；其中 接触具有整流效应。
选项：
A:肖特基、欧姆、欧姆
B:欧姆、肖特基、肖特基
C:欧姆、肖特基、欧姆
D:肖特基、欧姆、肖特基
答案: 【欧姆、肖特基、肖特基】
见面课：半导体物理基本概念
1、问题:AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。保存
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
2、问题:半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
3、问题:PMOS的基底是p型半导体，所以叫PMOS。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
4、问题:半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
5、问题:硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
6、问题:GaAs晶体是_结构
选项：
A:金刚石
B:闪锌矿
C:体心
D:面心
答案: 【闪锌矿】
7、问题:有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是4Å，其带隙有可能是_____eV
选项：
A:1.4
B:1.0
C:1.2
D:以上都不可能
答案: 【1.4】
8、问题:如下图所示的能带结构，代表的是＿＿＿半导体＿＿＿＿＿＿＿＿　EC――――――――　EF ＿＿＿＿＿＿＿＿　EV
选项：
A:n型
B:p型
C:本征
D:以上都不是
答案: 【n型】