半导体三极管(NPN型)中，为什么在基区的电子与空穴复合会产生基区电流Ib呢？

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问题三言两语难说清看看元增民《模拟电技术》第20页21页许助于解决您疑问： 逗NPN型BJT例四素影响各电流形 (1) 基区尺寸 尺寸基区像狭窄道路或山梁拥挤堪 (2) 基区空穴浓度低 基区空穴浓度低使发射区达基区电少量电机与基区空穴复合形基极电流相于逗荒凉兔拉屎电难安家 (3) 发射区自由电浓度高 (4) 集电区尺寸较并接电源 集电区尺寸较并接电源集电极电源UccNPN型BJT由发射区流基区量电强吸引力说由于基区尺寸且空穴浓度低发射区自由电浓度高所NPN型BJT发射区流向基区量电少数与基区空穴复合(安家)形较基极电流Ib数电横向越狭窄基区奔向广阔集电区并达集电极集电极电源所俘获形较集电极电流Ic 基极电源本要形基极电流ib实际却集电极电流ic形帮忙 形象说NPN型BJT基极集电极加电源尺寸且掺杂少基区像狭窄荒芜山梁容电逗安家与电源连接集电区像陡峭广阔山坡发射极发量电达基区拥挤道狭窄荒芜山梁结少数电达基极数电顺势滚落集电区山坡形较集电极电流 基区尺寸、基区载流浓度低、发射区载流浓度高及集电区尺寸较四内素加集电极电源吸引力外部条件终使BJT集电极电流基极电流倍通所说BJT电流放能力 指明作者及书名主要考虑尊重版权 由于晶体管三区尺寸及掺杂浓度都确定所集电极电流与基极电流比例固定比例电流放倍数β