工业上用“三氯氢硅还原法”，提纯粗硅的工艺流程如图所示：（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）

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（1）用催化剂、增大压强或HCl浓度，加快SiHCl3的生成速率而又不降低硅的转化率提高；故答案为：催化剂、增大压强或HCl浓度；（2）①SiHCl3（l）和SiCl4（l）是互溶的液体，采用蒸馏的方法分离；故答案为：蒸馏；②Si（s）+3HCl（g）?SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol①   Si（s）+4HCl（g）?SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ/mol②根据盖斯定律则②-①得：SiHCl3（g）+HCl（g）?SiCl4（g）+H2（g）△H=-31kJ/mol，故答案为：-31；③由图示可知反应物有粗硅、HCl、H2；反应过程中生成物有：SiHCl3、H2、SiCl4、HCl，所以在反应物中和生成物中都有的物质是HCl、H2，所以流程中可循环使用的物质是HCl、H2，故答案为：氯化氢、氢气．