2012年在全球市场需求增速减缓形势下,我国LED产业进入了行业格局重组和竞争模式转变的新阶段。目前市售LED晶片,材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为

发布时间:2019-08-07 03:52:53

试题难度:难度:中档 试题类型:填空题 试题内容:2012年在全球市场需求增速减缓形势下,我国LED产业进入了行业格局重组和竞争模式转变的新阶段。目前市售LED晶片,材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主。已知镓是铝同族下一周期的元素。砷化镓的晶胞结构如右图。
试回答:
(1)镓的基态原子的电子排布式是               。
(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为       ,与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为       。
(3)N、P、As处于同一主族,其氢化物沸点由高到低的顺序是       (用氢化物分子式表示)。
(4)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为       。
(5)比较二者的第一电离能:As       Ga(填“

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试题答案:(1)1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1)(2)4 正四面体(3)NH3>AsH3>PH3(4)sp2杂化(5)>(6)BCD
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